2 de diciembre de 2016

¿En auxilio de la Ley de Moore?
SEMICONDUCTORES INDIO SELENIO



Gordon E. Moore, autor de la Ley de Moore y uno de los fundadores de Intel


El 19 de abril de 1965, Gordon E. Moore afirmó que el número de transistores de un microprocesador se duplicaría cada año. Su frase se transformaría en la llamada "Ley de Moore", con vigencia por los últimos 51 años, pero en peligro...

Si bien no tiene base científica, pues se basa en la simple observación, Moore actualizó su Ley en 1975, afirmando que el número de transistores de un microprocesador se duplicaría no en un año, sino en dos.

Habiéndose llegado al máximo nivel de integración de semiconductores, con las tecnologías y materiales actuales, algunas publicaciones anuncian la extinción de esta llamada "Ley".

Pero ¿por qué preocuparse por esto?

Para entenderlo, recordemos que los transistores de un microprocesador se usan como una especie de unidad de medida, ya que al emplearse para el manejo de unos y ceros, (las unidades básicas de la informática), cuanto más transistores tenga un chip, más capacidad de proceso ofrece.

En estos días, y contra los agoreros anuncios mencionados, ha aparecido en escena un nuevo material, que promete cumplir lo que no logró el promocionado grafeno... y más: el Indio-Selenio (InSe).





Para entenderlo: el grafeno no tiene prácticamente banda de energía. Se comporta más como un metal (y tildado como superconductor), que como un semiconductor normal, frustrando su potencial para aplicaciones de tipo transistor. El InSe tiene cualidades muy parecidas, ya que que sus cristales se pueden hacer solamente de algunos átomos de grosor, casi tan finos como el grafeno, es decir, insignificante banda de energía (¡la barrera!), y además en combinación con otros materiales (¿recuerdas las impurezas?), se consigue el anhelado efecto transistor, pero con "super-semiconducción".

He aquí las nuevas posibilidades para la Ley de Moore y sus implicancias tecnológicas.


Sir Andre Geim, uno de los autores de este estudio, y galardonado con el Premio Nobel de Física por la investigación sobre el grafeno nos dice "El InSe ultrafino parece ofrecer el medio dorado entre el silicio y el grafeno. Inse ofrece un cuerpo naturalmente delgado, que permite escalar a las dimensiones verdaderas del nanómetro. Al igual que el silicio, InSe es un muy buen semiconductor"








THE UNIVERSITY OF MANCHESTER



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